NVMFS5113PLWFT1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NVMFS5113PLWFT1G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.11 |
10+ | $2.796 |
100+ | $2.247 |
500+ | $1.8461 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 17A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 150W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta), 64A (Tc) |
Grundproduktnummer | NVMFS5113 |
NVMFS5113PLWFT1G Einzelheiten PDF [English] | NVMFS5113PLWFT1G PDF - EN.pdf |
T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.
TRENCH 30V NCH
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MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN
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MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NVMFS5113PLWFT1Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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